Samsung está lista con una nueva familia de unidades de estado sólido convencionales, dirigida al segmento de mercado que antes ocupaba su popular serie SSD 840 EVO. La nueva serie SSD 850 EVO de Samsung es la continuación del SSD 850 PRO insignia actual de la empresa, pero la nueva EVO es la primera de Samsung en incluir memoria flash MLC de 3 bits y 3D VNAND de 32 capas. El cambio a 32layer 3D VNAND 3-bit MLC flash (también conocido como TLC) reduce los costos, pero no afecta negativamente la resistencia porque la estructura de la celda no sufre las mismas limitaciones inherentes de la NAND planar, ya que las celdas se apilan verticalmente con el 3D VNAND.
Tenemos un Samsung SSD 850 EVO de 500 GB en el banco de pruebas y lo hemos comparado con el 840 EVO, así como con el 850 PRO de gama alta y algunas otras unidades de clase entusiasta por si acaso. Sin embargo, antes de llegar al meollo del asunto, eche un vistazo a las especificaciones y vea cómo se compara el Samsung SSD 850 EVO…
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Samsung ofrecerá unidades de la serie SSD 850 EVO con capacidades que van desde 120 GB hasta 1 TB. Como la mayoría de los otros SSD, el rendimiento varía entre las diferentes capacidades, pero en general, las especificaciones de la serie 850 EVO apuntan a unidades con un rendimiento líder en su clase, si los números son ciertos en el mundo real. Por supuesto, nos enteraremos pronto.
Desde el exterior, no hay mucho que ver con respecto a las unidades de la serie Samsung SSD 850 EVO. Se ajustan al mismo factor de forma de 2,5 pulgadas que la mayoría de las otras unidades de estado sólido para consumidores y cuentan con una carcasa metálica básica con el logotipo de Samsung en la parte superior y el número de serie y otra información de identificación en la parte inferior. Las unidades también cuentan con una altura Z de 7 mm, que se está convirtiendo en la norma.
Al igual que otras unidades de estado sólido de Samsung, las carcasas de la serie 850 EVO se aseguran con un trío de tornillos pentalobe, que son más oscuros que los tornillos Torx o hexagonales típicos que se usan en la mayoría de las otras unidades. Sin embargo, si tiene las herramientas necesarias para abrir una de las unidades, verá que incluso estas esbeltas carcasas de 7 mm y 2,5 son mucho más grandes de lo que deberían ser.
La unidad que ve aquí es un modelo SSD 850 EVO de 500 GB. Y como puede ver, la placa de circuito impreso tiene aproximadamente 1/3 del tamaño de la carcasa. Todavía no tenemos 850 EVO de mayor capacidad para verificar, pero si son como la serie 840 EVO, el modelo de 1 TB contará con una PCB más grande, pero seguirá siendo relativamente pequeña.
También debemos mencionar que esta unidad (y los modelos de 120 GB y 250 GB) cuentan con un nuevo controlador Samsung MGX de doble núcleo. El controlador es fundamentalmente similar al controlador MEX de triple núcleo utilizado en la serie 850 Pro recientemente lanzada, aunque obviamente se ha eliminado un núcleo. Samsung afirma que hizo este movimiento para ahorrar energía, porque el núcleo adicional no ayudó mucho al rendimiento en las unidades de menor capacidad. Mientras hablamos de energía, también debemos mencionar que la serie 850 EVO ofrece soporte para el modo Dev-Sleep de bajo consumo, que puede ayudar a prolongar la duración de la batería en los dispositivos móviles.
Todas las unidades de la serie Samsung 850 EVO también cuentan con memoria caché DRAM LPDDR2-1066. La unidad de 120 GB tiene 256 MB de caché, la unidad de 250 GB y 500 GB tiene 512 MB de caché y la unidad de 1 TB tiene 1 GB de caché. Todas las unidades Samsung 850 EVO también están equipadas con memoria flash NAND MLC NAND de 32 capas 3D VNAND de 3 bits de última generación de diferentes capacidades. La unidad de 500 GB que ve aquí tiene cuatro piezas de NAND de 128 GB, pero es probable que haya menos en las unidades más pequeñas y más en el modelo de 1 TB. Sin embargo, si hace los cálculos, encontrará que las unidades dejan aproximadamente el 9 % de la capacidad NAND para sobreaprovisionamiento, lo cual es típico de muchas SSD actuales. Las calificaciones de resistencia son relativamente altas gracias al paso a 3D V-NAND también: las unidades de 120 GB y 250 GB tienen una capacidad nominal de 75 TBW, mientras que las unidades de mayor capacidad de 500 GB y 1 TB tienen una capacidad nominal de 150 TBW.
Además de usar 32layer 3D VNAND 3bit MLC NAND flash, Samsung también ha dedicado una pequeña parte de la NAND para que actúe como un búfer de escritura SLC. Samsung llama a la función TurboWrite. Esto permite que TLC NAND funcione más como una unidad MLC para escrituras, siempre que el búfer no esté agotado.
TurboWrite debería permitir que la serie 850 EVO funcione muy bien en la gran mayoría de las cargas de trabajo de consumo. Como puede ver en la captura de pantalla anterior (tomada de HD Tune Pro), las escrituras son mucho más rápidas cuando se utiliza el búfer TurboWrite, pero su efecto en el rendimiento puede ser un poco impredecible.
Otra característica interesante transferida de las unidades de la generación anterior se denomina RAPID. RAPID es un acrónimo de Procesamiento acelerado en tiempo real de datos de E/S. Es una característica del software Magician de Samsung (v4.2 o más reciente) que puede acelerar la unidad significativamente y se puede habilitar con un solo clic (seguido de un reinicio).
Samsung adquirió el desarrollador de software NVELO hace un tiempo, que era una empresa conocida por su tecnología de almacenamiento en caché SSD. El software NVELO se usó para acelerar las transferencias del disco duro al almacenar en búfer los bits de datos a los que se accede con mayor frecuencia desde el disco duro a un SSD más rápido. Bueno, RAPID funciona de manera similar, pero en el caso de la serie de unidades Samsung 850 EVO, RAPID almacena en caché los bits de datos a los que se accede con mayor frecuencia en la SSD en una memoria del sistema más rápida. El tamaño de la memoria caché se ajustará dinámicamente en función de los recursos disponibles del sistema y sigue los comandos de vaciado de memoria caché del sistema operativo, por lo que el riesgo de perder datos debido a un corte de energía inesperado no es mucho mayor que en un sistema típico que usa almacenamiento en búfer de escritura. Sin embargo, los algoritmos para RAPID están específicamente ajustados para transferencias de estado sólido y son mucho más efectivos que cualquier caché de sistema operativo actual.