Samsung está ampliando su línea de unidades de estado sólido basadas en SATA, con una nueva serie de productos diseñados para equilibrar el rendimiento y la capacidad. Hace unos meses, la compañía lanzó la serie de unidades SSD 870 QVO, basadas en QLC, o celda de cuatro niveles, V-NAND. Estas nuevas unidades Samsung que lanzan hoy la serie Samsung SSD 870 EVO son similares en muchos aspectos, pero las SSD EVO cuentan con la última TLC (célula de triple nivel) V-NAND de Samsung, con el firmware correspondiente.
Estas nuevas unidades basadas en TLC también ofrecen un rendimiento ligeramente superior al de sus predecesores basados en QLC, con garantías más prolongadas y mejores índices de resistencia. Eche un vistazo a la lista completa de características de las especificaciones de la serie Samsung SSD 870 EVO a continuación, y luego profundice un poco más en los detalles y observe el rendimiento… 
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La serie de unidades SSD 870 EVO de Samsung se basa en la última V-NAND TLC (celda de triple nivel) de más de 100 capas y 3 bits por celda de la compañía. Esa NAND está emparejada con un controlador Samsung MKX patentado y algo de caché DRAM LPDDR4. Los detalles son escasos en el controlador en sí, pero la cantidad de DRAM instalada en cada unidad se enumera directamente en sus especificaciones, esencialmente hay 1 GB de DRAM por 1 TB de capacidad de la unidad. 
Todas las unidades de la familia, que van desde 250 GB hasta 4 TB, tienen una capacidad nominal de lectura de 560 MB/s con escritura de 530 MB/s, con IOPS aleatorias de lectura/escritura de 98 K/88 K, que es casi tan rápido como la interfaz SATA puede manejar. Endurance/TBW también es líder en su clase con estas unidades. Samsung califica el modelo de 4 TB en 2400 TB, o 600 veces la capacidad total. Y todas las unidades cuentan con una sólida garantía limitada de 5 años. 
Externamente, Samsung continúa con su estética de diseño tradicional. Las unidades de la serie SSD870 EVO tienen el factor de forma habitual de 2,5 7 mm (como era de esperar), con la parte superior de las unidades adornada con la marca Samsung y un único cuadrado de color. La parte inferior alberga una calcomanía con todos los detalles, información del número de serie, etc.
Tres tornillos pentalobe aseguran los gabinetes juntos, un tornillo es visible y dos residen debajo de la calcomanía. Desenganche esos tornillos y los gabinetes se abrirán para revelar los PCB en el interior; no hay adhesivo, almohadillas térmicas o material de interfaz térmica para hablar en estos diseños. 
Lo que ve en la imagen aquí son los PCB internos de los Samsung SSD 870 EVO de 1 TB y 4 TB. Como puede ver, los PCB son diminutos y ocupan solo una pequeña parte del gabinete 2.5. En total, solo hay 4 chips dentro de la unidad de 1 TB del controlador, una pieza de DRAM, un microcontrolador de algún tipo y una sola pieza de NAND, además de algunos componentes montados en la superficie. La unidad de 4 TB tiene una PCB un poco más grande, con 4 piezas de NAND, dos en la parte delantera y dos en la parte trasera. 
Como la mayoría de las SSD de Samsung de la generación anterior, las 870 EVO utilizan una parte de la NAND como un búfer de escritura SLC variable. Esto permite que TLC NAND funcione más como una unidad SLC para escrituras, dando un impulso general al rendimiento de escritura. Con las unidades Samsung de la generación anterior, normalmente veríamos una caída del rendimiento en algún momento cuando se agotó el búfer, pero los búfer variables de las unidades de 1 TB y 4 TB son lo suficientemente grandes, y descargan los datos lo suficientemente rápido, para mantener el máximo rendimiento. en toda la capacidad. También debemos mencionar que ambas unidades son compatibles con las últimas herramientas de migración de datos de Samsung y la utilidad Magician SSD, aunque lo único que se incluye en las cajas son las unidades y un paquete básico de iluminación.
Samsung SSD 870 EVO Puntos de referencia
En cada condición de prueba, los SSD probados aquí se instalaron como volúmenes secundarios en nuestro banco de pruebas, con una unidad separada utilizada para el sistema operativo y las instalaciones de referencia. La placa base de Out testbed se actualizó con la última BIOS disponible en el momento de la publicación. Los SSD se borraron de forma segura antes de la prueba (cuando corresponda) y se dejaron en blanco sin particiones para algunas pruebas, mientras que otras requirieron que se particionaran y formatearan, como es el caso de las pruebas ATTO, PCMark y CrystalDiskMark. El firewall de Windows, las actualizaciones automáticas y los protectores de pantalla se deshabilitaron antes de la prueba y se habilitaron Windows 10 Quiet Hours / Focus Assist. En todas las ejecuciones de prueba, reiniciamos el sistema, nos aseguramos de que se purgaran todos los datos temporales y de captación previa, esperamos varios minutos para que se estableciera la actividad de la unidad y para que el sistema alcanzara un estado inactivo antes de invocar una prueba.
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Tarjeta madre – Tarjeta de video – Memoria – Sonido – Almacenamiento – |
Destripador de hilos AMD 3990X
Creador de MSI TRX40 GeForce RTX 2080 Ti 32 GB G. HABILIDAD DDR4-3200 Integrado a bordo Corsair MP600 (unidad OS) |
sistema operativo –
Controladores de conjuntos de chips – DirectX – Puntos de referencia – |
Windows 10 Pro x64 (1909)
AMD v2.10.13.408 DirectX 12 HD Tune v5.75 |
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En primer lugar, tenemos SiSoft SANDRA, el analizador de sistemas, el asistente de diagnóstico e informes para algunas pruebas rápidas. Aquí, usamos la prueba de ancho de banda del sistema de archivos y proporcionamos los resultados de nuestros SSD de comparación. Las métricas de rendimiento de lectura y escritura, junto con la puntuación general de la unidad, se detallan a continuación.
Las nuevas unidades Samsung SSD 870 EVO técnicamente lideraron el paquete en general, pero estamos hablando de algunos deltas de rendimiento minúsculos que separan a todas las unidades Samsung aquí. La unidad Toshiba está un par de puntos porcentuales fuera de la marca, pero aún así es competitiva.
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ATTO es otro tipo de referencia de disco "rápido y sucio" que mide las velocidades de transferencia en una longitud de volumen específica. Mide las tasas de transferencia sin procesar tanto para lecturas como para escrituras y las representa gráficamente en un gráfico de fácil interpretación. Elegimos tamaños de transferencia de 0,5 KB a 64 MB y una profundidad de cola de 4 sobre una longitud de volumen máxima total de 256 MB. Las cargas de trabajo de ATTO son de naturaleza secuencial y miden el ancho de banda bruto, en lugar del tiempo de respuesta de E/S, la latencia de acceso, etc.
En las pruebas de ancho de banda de lectura y escritura de ATTO, las nuevas unidades Samsung SSD 870 EVO compitieron en la parte superior de las listas, en toda la curva. Sin embargo, las unidades chocan con los límites de la interfaz SATA heredada, como era de esperar.
Tampoco hay mucho que separe estos SSD en términos de IO. Excepto por las unidades Samsung SSD 860 Pro y OCZ de la generación anterior, que se quedan un poco atrás con los tamaños de transferencia más pequeños, todas las unidades Samsung una vez más funcionan de manera similar en general.
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A continuación, ejecutamos Compression Benchmark integrado en AS SSD, un punto de referencia específico de SSD desarrollado por Alex Intelligent Software. Esta prueba es interesante porque utiliza una combinación de datos comprimibles y no comprimibles y genera rendimiento de lectura y escritura de la unidad. Solo graficamos una pequeña fracción de los datos (1 % comprimible, 50 % comprimible y 100 % comprimible), pero la tendencia es representativa de los resultados completos de los puntos de referencia.
La capacidad de compresión de los datos que se transfieren a través de las unidades no tiene ningún impacto en el rendimiento y todas las unidades generan números dentro de un par de megabytes por segundo. Solo hay mucho espacio libre con el que jugar un SSD SATA moderno.
No se exceden los límites de la interfaz en esta prueba, pero hay matices en el rendimiento de estos nuevos SSD de Samsung, que verá a continuación…